发明名称 边射式发光二极体及其封装镜
摘要 一种边射式发光二极体及其封装镜,其封装镜包括底面、入射面、反射面、第一折射面、第二折射面以及第三折射面。LED产生的光线从入射面进入封装镜内,一部份光线在反射面藉内部全反射而被反射至第二折射面,在通过第二折射面后沿着第一光路径射出封装镜,其余的光线直接通过第一折射面和第三折射面,分别被第一折射面和第三折射面折射后射出封装镜。第一折射面与反射面间具有一过渡面,其设计使从入射面进入封装镜的光线并不会与过渡面相交,可避免不适当的反射或折射;这种封装镜用于LED的封装,可减少光损,并降低制造的加工应力。
申请公布号 TWI258231 申请公布日期 2006.07.11
申请号 TW094126121 申请日期 2005.08.02
申请人 中强光电股份有限公司 发明人 周文彬;萧增科;侯腾超
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 1.一种封装镜,系应用于一光源,包括有: 底面; 入射面,连接于该底面,且其下方设置该光源; 反射面,与封装镜的中央光轴形成一夹角; 第一折射面; 第一过渡面,介于该反射面与该第一折射面之间; 第二折射面,与该第一折射面连接; 第三折射面,与该底面连接;以及 第二过渡面,介于该第二折射面与该第三折射面之 间; 其中该光源提供之光线从该入射面进入该封装镜 的内部,一部份的光线在该反射而被反射至该第二 折射面,光线在通过该第二折射面之后产生折射而 沿着第一光路径射出该封装镜; 其余从该入射面进入该封装镜内部的光线,系分别 直接地通过该第一折射面之后被折射而沿着一第 二光路径射出该封装镜,以及直接地通过该第三折 射面之后被折射而沿着一第三光路径射出该封装 镜。 2.如申请专利范围第1项所述之封装镜,其中该反射 面系紧邻于该封装镜之中央光轴的一侧,使进入封 装镜的部份光线被反射而通过该第二折射面后位 于该封装镜侧向之发光光形的中央部份。 3.如申请专利范围第1项所述之封装镜,其中自该入 射面进入该封装镜的光线并不会与该第一过渡面 相交。 4.如申请专利范围第3项所述之封装镜,其中该第一 过渡面之表面的沿伸方向系与光源其中光面与中 央光轴交点至该第一过渡面和该第一折射面之连 接处的连线方向重叠。 5.如申请专利范围第1项所述之封装镜,其中该第二 过渡面和该第三折射面之连接处恰位于光源其出 光面与中央光轴交点至该第一折射面和该第二折 射面之连接处的连线位置上。 6.如申请专利范围第1项所述之封装镜,其中该第三 折射面具有平顺的弧形并且位于该第二过渡面和 该底面之间。 7.一种边射式发光二极体,包括有: LED晶片; 封装镜,位于该LED晶片的出光侧,包含有: 底面; 入射面,其下方设置该LED晶片; 反射面,与封装镜的中央光轴形成一夹角; 第一折射面; 第一过渡面,介于该反射面与该第一折射面之间; 第二折射面,与该第一折射面连接; 第三折射面,与该底面连接;以及 第二过渡面,介于该第二折射面与该第三折射面之 间; 其中该LED晶片发出的光线从该入射面进入该封装 镜的内部,一部份的光线在该反射而被反射至该第 二折射面,光线在通过该第二折射面之后产生折射 而沿着第一光路径射出该封装镜; 其余从该入射面进入该封装镜内部的光线,系分别 直接地通过该第一折射面之后被折射而沿着一第 二光路径射出该封装镜,以及直接地通过该第三折 射面之后被折射而沿着一第三光路径射出该封装 镜。 8.如申请专利范围第7项所述之边射式发光二极体, 其中该反射面系紧邻于该封装镜之中央光轴的一 侧,使进入封装镜的部份光线被反射而通过该第二 折射面后位于该封装镜侧向之发光光形的中央部 份。 9.如申请专利范围第7项所述之边射式发光二极体, 其中自该入射面进入该封装镜的光线并不会与该 第一过渡面相交。 10.如申请专利范围第9项所述之边射式发光二极体 ,其中该第一过渡面之表面的沿伸方向系与该LED晶 片中心轴至该第一过渡面和该第一折射面之连接 处的连线方向重叠。 11.如申请专利范围第7项所述之边射式发光二极体 ,其中该第二过渡面和该第三折射面之连接处恰位 于LED晶片其出光面与中央光轴交点至该第一折射 面和该第二折射面之连接处的连线位置上。 12.如申请专利范围第7项所述之边射式发光二极体 ,其中该第三折射面具有平顺的弧形并且位于该第 二过渡面和该底面之间。 图式简单说明: 第1-1图,为传统LED晶片的发光光型图。 第1-2图,显示利用多个传统LED晶片进行光学性质混 合的光线混合分布情形。 第2图,为一种已知边射式发光二极体的镜片构造 。 第3图,为另一种已知边射式发光二极体的镜片构 造。 第4图,为第3图之已知边射式发光二极体之镜片中 的光路分布图。 第5图,为本发明之边射式发光二极体的封装镜构 造图。 第6图,为本发明之边射式发光二极体的光路径分 布图。 第7-1图,为本发明之边射式发光二极体的发光光形 分布图。 第7-2图,显示利用多个本发明之边射式发光二极体 进行光学性质混合的光线混合分布情形。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科北五路2号