发明名称 发光二极体改良结构
摘要 一种利用导热介质作为接地回路之发光二极体改良结构,系包括一散热体、一支架及一基座,其中该散热体之上半部具有一圆形导热柱,该导热柱具有一平面,用以预放发光二极体晶粒,而散热体之下半部具有一圆形接触盘,该支架之左右两端各具有复数接脚,其中之一接脚连接一环形接触端,系用以定位连结散热体之导热柱,之后再共同埋设于基座内部,且该散热体接触盘之底面外凸于基座底部,同时支架之复数接脚自基座之左右两端向外伸出。
申请公布号 TWM294092 申请公布日期 2006.07.11
申请号 TW094222792 申请日期 2005.12.28
申请人 艾笛森光电股份有限公司 发明人 孙宗鼎;廖宏达;严子轩;周宏勋
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 1.一种发光二极体改良结构,系包括: 一散热体,系具有一导热柱及一接触盘,且该导热 柱与接触盘相连接; 一支架,系具有复数接脚,且其中之一接脚具有一 接触端,用以定位连结散热体之导热柱; 一基座,用以包覆散热体及支架。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该散热体系由具有导电及导热特性之材质 所制成。 3.如申请专利范围第3项所述之发光二极体改良结 构,其中该散热体系由铜所制成。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该接触盘更具有一接触面。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体改良结 构,其中该接触面外凸于基座底部。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该支架系由蚀刻及冲压方式制成。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该支架系由导电材质所制成。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该支架系由铝制成。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该支架之一接脚更具有一接触端。 10.如申请专利范围第9项所述之发光二极体改良结 构,其中该接触端系为一圆环。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该散热体与支架系为一体构成。 12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该基座系以埋入射出之方式所制成。 图式简单说明: 第一图、系为习知之立体分解示意图。 第二图、系为本创作之立体分解图。 第三图、系为本创作之立体结构组合图。 第四图、系为本创作之基座底部侧视图。 第五图、系为本创作之正面透视图。 第六图、系为本创作之散热体与支架另一实施例 立体示意图。
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