| 主权项 |
1.一种具有突波保护性基板之穿孔发光二极体覆 晶结构,其包含: 该保护性基板; 焊球; 一穿孔发光二极体晶粒,透过该等焊球焊至该保护 性基板上,并包含: 一发光二极体结构; 一第二基板,位于该穿孔发光二极体结构之上,并 具有复数个孔,该复数个孔自该第二基板一与该发 光二极体结构远离之表面往下形成,并延伸至该穿 孔发光二极体结构中,并至少穿透该穿孔发光二极 体结构之一动作层。 2.如申请专利范围第1项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该发光二极体晶粒 具有一阳极电极及一阴极电极,且该第一基板亦具 有一阳极电极及一阴极电极,该发光二极体结构系 以该发光二极体晶粒之阳极及阴极电极透过该等 焊球焊至该第一基板之阳极及阴极上。 3.如申请专利范围第1项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该突波保护性基板 系用以保护该发光二极体结构使免于突波之破坏 。 4.如申请专利范围第3项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该突波为一静电放 电电压。 5.如申请专利范围第1项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该第二基板之厚度 小于150m。 6.如申请专利范围第1项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该复数个孔之该至 少一者完全穿透该发光二极体结构。 7.如申请专利范围第1项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该突波为静电放电 。 8.一种具有突波保护性基板之穿孔发光二极体覆 晶结构,其包含: 该突波保护性基板; 焊球;及 一穿孔发光二极体晶粒,透过该等焊球焊至该第一 基板上,并包含: 一穿孔发光二极体结构;及 一第二基板,位于该穿孔发光二极体结构之上,并 具有复数个孔,该复数个孔自该第二基板一与该穿 孔发光二极体结构远离之表面往下形成,并延伸至 该穿孔发光二极体结构中; 其中该复数个孔中至少有一者至少穿透该穿孔发 光二极体结构的一动作层;且 其中该第二基板之厚度小于150m。 9.如申请专利范围第8项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该复数个孔之该至 少一者完全穿透该发光二极体结构。 10.如申请专利范围第8项之具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构,其中该突波为静电放电 。 图式简单说明: 图一系为一习用发光二极体覆晶结构的示意图; 图二系为另一习用发光二极体覆晶结构的示意图; 图三系为本发明之一具有突波保护性基板之穿孔 发光二极体覆晶结构实施例的示意图; 图四系为本发明之另一具有突波保护性基板之穿 孔发光二极体覆晶结构实施例的示意图; 图五系为本发明之又另一具有突波保护性基板之 穿孔发光二极体覆晶结构实施例的示意图; 图六系为图五实施例所得之光波长与强度关系图; 图七系为图五实施例所得之电流与强度关系图; 图八系为图五实施例所得之电流与强度关系图;及 图九系用以说明图五实施例与未加穿孔之发光二 极体覆晶结构的电压与电流关系比较图。 |
