| 主权项 |
1.一种场发射显示器之收敛型电子发射源制作方 法(一),该方法包括: a)、先取一基板; b)、利用厚膜微影技术于上述基板之表面形成有 第一电极层; c)、再利用厚膜微影技术于上述第一电极层上形 成有第二电极层; d)再以,利用厚膜微影技术于上述第一电极层表面, 并位于第二电极层周边形成有第三电极层,该第三 电极层高于第二电极层之周边内径形成一收敛出 口;待前述第三电极层制作完成后,利用烧结技术 固着之。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该基板系为玻 璃材料所制成。 3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第一电极层 系以银胶油墨制作。 4.如申请专利范围第3项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),该第一电极层厚度 可以为10~20um。 5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第二电极层 系以奈米碳管为材料。 6.如申请专利范围第5项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第二电极层 厚度约1~5um。 7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第三电极层 4系以银胶油墨制作。 8.如申请专利范围第7项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第三电极层 厚度可以为10~40um。 9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(一),其中,该第三电极层 4厚度改变,亦是改变收敛出口内径大小,可以调整 设计出最佳的收敛效果。 10.一种场发射显示器之收敛型电子发射源制作方 法(一),该方法包括: a)、先取一基板; b)、利用网印技术于上述基板之表面形成有第一 电极层; c)、再利用网印技术于上述第一电极层上形成有 第二电极层; d)再以,利用网印技术于上述第一电极层表面,并位 于第二电极层周边形成有第三电极层,该第三电极 层高于第二电极层之周边内径形成一收敛出口;待 前述第三电极层制作完成后,利用烧结技术固着之 。 11.一种场发射显示器之收敛型电子发射源结构(一 ),该结构: 系以提供一基板; 于上述之基板表面上形成有一第一电极层; 于上述之第一电极层表面上形成有一第二电极层; 于上述之第一电极层表面及第二电极层两侧形成 有一第三电极层,且第三电极层之周边高度高于第 二电极层,而前述高于周边之内径形成一收敛出口 。 12.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(一),其中,该基板系为玻璃 材料所制成。 13.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(一),其中,该第一、三电极 层系以银胶油墨制作。 14.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(一),其中,该第二电极层系 以奈米碳管为材料。 图式简单说明: 第一图,系为传统二极场发射显示器结构示意图。 第二图,系为传统三极场发射显示器结构示意图。 第三图,系为传统四极场发射显示器结构示意图。 第四-七图,系本发明之阴极结构制作流程结构示 意图。 第八图,系本发明之单一阴极结构示意图。 第九图,系本发明之阴极结构电子发射源之电子束 发射示意图。 |
