| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征乃具有形成于基板上之 第1之导电膜, 和形成于该第1之导电膜之上层,于与该第1之导电 膜平面性重叠之位置,形成连接孔的层间绝缘膜, 和形成于该层间绝缘膜之上层,藉由前述连接孔电 性连接于前述第1之导电膜的第2之导电膜; 前述连接孔乃由平面性视之,由前述第1之导电膜 及前述第2之导电间膜中之任一方窜出者。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述 第1之导电膜及前述第2之导电膜中之一方之导电 膜乃平面性重叠前述连接孔整体地加以形成,另一 方面导电膜乃平面性重叠前述连接孔之一部分地 加以形成。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述 一方之导电膜乃前述第1之导电膜,前述另一方之 导电膜乃前述第2之导电膜。 4.如申请专利范围第2项或第3项之半导体装置,其 中,前述另一方之导电膜乃以特定之间隔平行延伸 之配线。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述 另一方之导电膜乃向与前述另一方之导电膜所成 配线交叉的方向延伸之配线。 6.如申请专利范围第2项或第3项之半导体装置,其 中,前述另一方之导电膜乃以向前述连接孔之一方 侧偏移的位置,与该连接孔平面性重叠。 7.如申请专利范围第2项或第3项之半导体装置,其 中,前述另一方之导电膜乃以避开前述连接孔之两 端的8位置,与该连接孔平面性重叠。 8.如申请专利范围第2项或第3项之半导体装置,其 中,前述连接孔乃具有长方形之平面形状, 前述另一方之导电膜乃对于该连接孔之长度方向 之一部分,形成于平面性重叠之位置。 9.如申请专利范围第2项或第3项之半导体装置,其 中,前述连接孔乃具有矩形之平面形状, 前述另一方之导电膜乃对于该连接孔之边,向斜面 延伸者。 10.一种光电装置,其特征乃如申请专利范围第1项 至第9项所规定之半导体装置,做为使持光电物质 之光电装置用基板加以使用, 于该光电装置用基板中,具备画素开关用电晶体及 画素电极的画素,形成成为矩阵状者。 11.如申请专利范围第10项之光电装置,其中,前述光 电物质乃保持于前述光电装置用基板和对向基板 间的液晶。 12.如申请专利范围第10项之光电装置,其中,前述光 电物质乃于前述光电装置用基板上构成发光元件 之电激发光材料。 13.一种电子机器,其特征乃使用如申请专利范围第 10项至第12项之任一项所规定之光电装置。 图式简单说明: [图1](A),(B),(C)系为各自表示有关本发明之实施型 态1的半导体装置要部的构成平面图,IA-IA′剖面图 ,及IB-IB′剖面图。 [图2](A),(B),(C)系为各自表示有关本发明之实施型 态2的半导体装置要部的构成平面图,IIA-IIA′剖面 图,及IIB-IIB′剖面图。 [图3]表示有关本发明之实施型态3的半导体装置要 部的构成平面图。 [图4](A),(B),(C)系为各自表示有关本发明之实施型 态4的半导体装置要部的构成平面图,IVA-IVA′剖面 图,及IVB-IVB′剖面图。 [图5](A),(B)系各自为将液晶装置与形成在其上方之 各构成要素同时,从对向基板侧所看到之平面图, 以及包含对向基板来表示之图5(A)之H-H′剖面图。 [图6]为模式性表示使用在图5所示液晶装置之TFT阵 列基板10之构成方块图。 [图7]为形成在图6所示之资料线驱动电路之说明图 。 [图8](A),(B),(C)系各自表示针对在图5所示液晶装置, 藉由接触孔电接续同为配线状态之平面图VIIIA- VIIIA′剖面图,及VIIIB-VIIIB′剖面图。 [图9]针对于图6之画像显示范围形成为矩阵状之复 数画素的各种元件,配线等之等效电路图。 [图10]图9所示之画素平面图。 [图11]在相当于图10A-A′线位置进行切断时之剖面 图。 [图12]图5所示之驱动电路平面图。 [图13]图12所示之驱动电路用之TFT的平面图。 [图14]采用电荷注入型之有机薄膜电致发光元件之 有源矩阵型光电装置之方块图。 [图15](A),(B)系各自为表示使用有关本发明之液晶 装置之笔记型电脑说明图,以及行动电话说明图。 [图16](A),(B),(C)系为各自表示以往的半导体装置要 部的构成平面图,XVIA-XVIA′剖面图,及XVIB-XVIB′剖 面图。 |
