发明名称 绕线线圈及制造其之方法
摘要 绕线线圈系包括核心、电极和导线。核心系包括用于卷绕导线的卷绕核心和一对凸缘。在各凸缘的内下部上形成凹入部分。凹入部分具有从凸缘的内壁至外壁的方向朝内弯曲的曲面,该曲面与卷绕核心的周壁光滑连接。导线的端部系沿着曲面延伸,端部的尖端接合于电极。端部系处于无应力状态,并且防止涂层剂的收缩所引起的张力之产生。
申请公布号 TWI258152 申请公布日期 2006.07.11
申请号 TW094110173 申请日期 2005.03.31
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 平井真哉;花登义夫;佐佐木孔辉
分类号 H01F27/29;H01F5/00 主分类号 H01F27/29
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种绕线线圈,其系包括: 一包含一卷绕核心和设置在该卷绕核心的诸轴向 端部的一对凸缘的核心; 设置在该等凸缘的周壁上的电极;以及 围绕该卷绕核心卷绕的导线,该导线具有延伸到且 接合于该等电极的端部;其中 从该等凸缘的内壁至外壁的方向朝内弯曲的曲面 与该卷绕核心的周壁光滑地连接,以便在该等凸缘 上界定出凹入部分;以及 沿着该等凹入部分的曲面设置该导线的端部,并且 该导线的端部的尖端系接合于该等电极。 2.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该等凹入 部分的各曲面的剖面基本上为弧形。 3.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该卷绕核 心基本上是棱柱形。 4.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该等电极 是由包括Ni、Sn或Sn-Pb构成的电镀层和设置在该电 镀层上的Ag、Ag-Pd或Ag-Pt制成的薄膜所构成。 5.如申请专利范围第4项之绕线线圈,其中该电镀层 系具有约1微米至约30微米范围的厚度,该薄膜系具 有约10微米至约30微米范围的厚度。 6.一种绕线线圈,其系包括: 一包括一卷绕核心和设置在该卷绕核心的诸轴向 端部的一对凸缘的核心; 设置在各凸缘上的一对基底,该对基底基本上垂直 于该卷绕核心的轴线方向; 设置在该等基底的尖端上的电极; 围绕该卷绕核心卷绕的一第一导线,该第一导线具 有延伸和接合于各凸缘的诸电极之一的尖端;以及 围绕该卷绕核心卷绕的一第二导线,该第二导线具 有延伸和接合于各凸缘的另一电极的尖端;其中 从该等基底的内壁至外壁的方向朝内弯曲的曲面 与该卷绕核心的周壁光滑地连接,以便在该等基底 上界定出凹入部分; 沿着设置在各凸缘的诸基底之一上的凹入部分的 曲面设置该第一导线的端部,该第一导线的尖端系 接合于该等基底上的电极;以及 沿着设置在各凸缘的诸基底的另一个上的凹入部 分的曲面设置该第二导线的端部,从而该第二导线 的端部与形成在两对基底之间的诸凹槽分开,并且 该第二导线的尖端系接合于该等基底上的电极。 7.如申请专利范围第6项之绕线线圈,其中该等凹入 部分的各曲面的剖面基本上是弧形。 8.如申请专利范围第6项之绕线线圈,其中该卷绕核 心基本上是棱柱形。 9.如申请专利范围第6项之绕线线圈,其中该等电极 系由包括Ni、Sn或Sn-Pb构成的电镀层和设置在该电 镀层上的由Ag、Ag-Pd或Ag-Pt构成的薄膜所构成。 10.如申请专利范围第9项之绕线线圈,其中该电镀 层具有约1微米至约30微米范围的厚度,并且该薄膜 具有约10微米至约30微米范围的厚度。 11.一种用于制造绕线线圈的方法,其系包括: 形成一包括一卷绕核心和设置在该卷绕核心的诸 轴向端部的一对凸缘的核心的核心形成步骤; 在该核心的凸缘的周壁上形成电极的电极形成步 骤; 在保持该核心同时,围绕该卷绕核心来卷绕一导线 的卷绕步骤;以及 延伸和接合围绕该卷绕核心卷绕的导线的尖端于 该等电极的导线接合步骤;其中 该核心形成步骤系包括在该等凸缘上形成曲面的 加工,从该等凸缘的内壁至外壁方向朝内弯曲的曲 面与该卷绕核心的周壁光滑连接,以便形成凹入部 分;以及 该导线接合步骤系包括在沿着该等曲面移动导线 杆的同时用该等导线杆将该导线的端部压靠着该 等凹入部分的曲面的加工,以便将该导线的端部设 置成紧靠着该等凹入部分的曲面。 12.如申请专利范围第11项之制造绕线线圈的方法, 其中在该核心形成步骤中所形成的凹入部分的各 曲面的剖面基本上是弧形。 13.如申请专利范围第11项之制造绕线线圈的方法, 其中该电极形成步骤系包括形成一电镀层和在该 电镀层上形成一膜薄的步骤,该电镀层系由在该等 凸缘的周壁上的Ni、Sn或Sn-Pb所形成,该膜薄系由Ag 、Ag-Pd或Ag-Pt所构成。 14.如申请专利范围第13项之制造绕线线圈的方法, 其中该电镀层具有约1微米至约30微米范围的厚度, 该薄膜具有约10微米至约30微米范围的厚度。 15.一种用于制造绕线线圈的方法,其系包括: 形成一包括一卷绕核心、设置在该卷绕核心的诸 轴向端部的一对凸缘、以及设置在各凸缘上的一 对基底的核心之核心形成步骤,该对基底基本上垂 直于该卷绕核心的轴线方向; 在该对基底的尖端上形成电极的电极形成步骤; 在保持该核心的同时围绕该卷绕核心卷绕第一和 第二导线的卷绕步骤;以及 将围绕该卷绕核心卷绕的第一导线的尖端延伸和 接合于各凸缘的诸基底之一上的电极且将围绕该 卷绕核心卷绕的第二导线的尖端延伸和接合于各 凸缘的诸基底的另一个上的电极的导线接合步骤; 该核心形成步骤系包括形成曲面的加工,从该等基 底的内壁至外壁的方向朝内弯曲的曲面与该卷绕 核心的周壁光滑地连接,以便在该等基底上形成凹 入部分;以及 该导线接合步骤系包括在导线杆沿着该等曲面移 动的同时用该等导线杆将该第一和第二导线的端 部压靠着该等凹入部分的曲面的加工,以便将该第 一和第二导线的端部设置成紧靠着该等凹入部分 的曲面。 16.如申请专利范围第15项之制造绕线线圈的方法, 其中该导线接合步骤包括将另一导线杆插入在各 成对的基底之间的凹槽中且将延伸越过该凹槽的 第一和第二导线的诸端部的至少一端部朝该卷绕 核心加压,以便将该等端部从该凹槽朝该卷绕核心 的周壁移动。 17.如申请专利范围第15项之制造绕线线圈的方法, 其中在该核心形成加工中所形成的凹入部分的各 曲面的剖面基本上是弧形。 18.如申请专利范围第15项之制造绕线线圈的方法, 其中该电极形成步骤系包括形成在该等凸缘的周 壁上的由Ni、Sn或Sn-Pb形成的电镀层和形成在该电 镀层上的由Ag、Ag-Pb或Ag-Pt构成的薄膜的步骤。 19.如申请专利范围第18项之制造绕线线圈的方法, 其中该电镀层具有约1微米至约30微米范围的厚度, 并且该薄膜具有约10微米至约30微米范围的厚度。 图式简单说明: 图1是根据本发明的一第一较佳实施例的绕线线圈 的立体图; 图2是该绕线线圈的侧视图; 图3是从下方观察的该绕线线圈的局部放大图; 图4是描绘导线端部效果的该绕线线圈的局部侧视 图; 图5是描绘根据本发明的较佳实施例之绕线线圈的 制造过程的加工流程图; 图6是描绘导线卷绕步骤开始的示意图; 图7是描绘导线卷绕步骤终止的示意图; 图8是描绘为导线接合步骤中之一加工过程的加工 导线端部的平面图; 图9是描绘加工导线端部的侧视图; 图10A和10B是描绘根据本发明的较佳实施例的防止 绕线线圈的导线断裂效果的侧视图; 图11是从下方观察的根据本发明的一第二较佳实 施例的绕线线圈的立体图; 图12是描绘为接合导线的诸步骤之一的加工导线 的端部的平面图; 图13是描绘加工导线端部的前视图; 图14是弯曲表面的一变化形式的局部侧视图; 图15是弯曲表面的另一变化形式的局部侧视图; 图16是已知的绕线线圈的立体图; 图17A和17B是描绘其中涂层剂进入和积聚在围绕圆 角R的区域内的侧视图; 图18是具有关于防止导线断裂的结构的已知的绕 线线圈的侧视图; 图19A和19B是描绘其中涂层剂进入和积聚在绕线线 圈和基板之间的绕线线圈的侧视图;以及 图20是一对基底和一凹槽的局部放大图。
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