| 主权项 |
1.一种元件之转印方法,其系将排列于第一基板上 之数个元件转印于第二基板上,其特征为包含:覆 盖步骤,其系以脱模剂覆盖上述第一基板上之数个 元件;除去步骤,其系选择性除去转印之元件上的 脱模剂;贴合步骤,其系以使排列于第一基板上之 元件与设于第二基板上之接着剂层相对之方式,使 此等第一基板与第二基板贴合;照射步骤,其系自 第一基板内面侧照射雷射于已除去上述脱模剂之 元件上;及剥离步骤,其系自上述第一基板剥离第 二基板。 2.如申请专利范围第1项之元件之转印方法,其中系 藉由雷射烧蚀除去上述元件上之脱模剂。 3.一种元件之排列方法,其系将排列于第一基板上 之数个元件排列于第二基板上,其特征为包含:第 一转印步骤,其系以较前述第一基板上排列有前述 元件之状态更为疏离之状态的方式,转印前述元件 ,使该元件保持在暂时保持用构件上;及第二转印 步骤,其系进一步疏离保持在前述暂时保持用构件 上之前述元件,并予转印在前述第二基板上;且上 述第一转印步骤包含:覆盖步骤,其系以脱模剂覆 盖排列于上述第一基板上之数个元件;除去步骤, 其系选择性除去转印之元件上的脱模剂;贴合步骤 ,其系以使排列于第一基板上之元件与设于暂时保 持用构件上之接着剂层相对之方式,使此等第一基 板与暂时保持用构件贴合;照射步骤,其系自第一 基板内面侧照射雷射于经除去上述脱模剂的元件 上;及剥离步骤,其系自上述第一基板剥离上述暂 时保持用构件。 4.如申请专利范围第3项之元件之排列方法,其中于 前述第一转印步骤疏离之距离,为排列于前述第一 基板上之元件间距的大致整数倍,且于前述第二转 印步骤疏离之距离为于前述第一转印步骤排列于 前述暂时保持用构件之元件间距的大致整数倍。 5.如申请专利范围第3项之元件之排列方法,其中前 述元件系使用氮化物半导体之半导体元件。 6.如申请专利范围第3项之元件之排列方法,其中前 述元件系发光元件、液晶控制元件、光电转换元 件、压电元件、薄膜电晶体元件、薄膜二极体元 件、电阻元件、开关元件、微小磁性元件、及微 小光学元件中选出之元件或其部分。 7.一种图像显示装置之制造方法,该图像显示装置 之发光元件系配置成矩阵状,其特征为包含:第一 转印步骤,其系以较第一基板上排列有发光元件之 状态更为疏离之状态的方式,转印前述发光元件, 使前述发光元件保持在暂时保持用构件上;第二转 印步骤,其系进一步疏离保持在前述暂时保持用构 件上之前述发光元件,并予转印在前述第二基板上 ;及配线形成步骤,其系形成连接于前述各发光元 件之配线;且上述第一转印步骤包含:覆盖步骤,其 系以脱模剂覆盖排列于上述第一基板上之数个发 光元件;除去步骤,其系选择性除去转印之发光元 件上的脱模剂;贴合步骤,其系以使排列于第一基 板上之发光元件与设于暂时保持用构件上之接着 剂层相对之方式,使此等第一基板与暂时保持用构 件贴合;照射步骤,其系自第一基板内面侧照射雷 射于经除去上述脱模剂的发光元件上;及剥离步骤 ,其系自上述第一基板剥离上述暂时保持用构件。 图式简单说明: 图1系显示在第一基板上形成元件之状态的大致剖 面图。 图2系显示在元件上形成脱模剂层之状态的大致剖 面图。 图3系显示选择性除去脱模剂层之状态的大致剖面 图。 图4系显示第一基板与第二基板之贴合状态的大致 剖面图。 图5系显示元件转印至第二基板之状态的大致剖面 图。 图6(a)~(d)系显示元件之排列方法的模式图。 图7(a),(b)系显示一种发光元件,其中(a)为剖面图,(b) 为平面图。 图8系显示在第一基板上形成发光二极体之状态的 大致剖面图。 图9系显示在发光二极体上形成脱模剂层之状态的 大致剖面图。 图10系显示选择性除去脱模剂层之状态的大致剖 面图。 图11系显示第一转印步骤的大致剖面图。 图12系显示电极垫形成步骤的大致剖面图。 图13系显示转印至第二基板后之电极垫形成步骤 的大致剖面图。 图14系显示吸着步骤的大致剖面图。 图15系显示第二转印步骤的大致剖面图。 图16系显示绝缘层之形成部骤的大致剖面图。 图17系显示配线形成步骤的大致剖面图。 |
