| 主权项 |
1.一种记忆卡之转接卡结构改良,尤指一种可供相 异尺寸的记忆卡对接于尺寸相异的记忆卡插槽之 转接卡,该转接卡为具有座体,于座体内为具有容 置空间,并于座体的一侧为开设有与容置空间相通 连之开口,其改良在于: 该座体为设有可罩覆容置空间之软性电路板,软性 电路板于相邻容置空间之一面上的适当位置处为 设有导电层,而软性电路板之另一面于接近侧边处 为设有金手指。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板可透过电镀产生导电层 与金手指。 3.如申请专利范围第1项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该导电层与金手指间呈电性连接。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板可为双层板、多层板、 单铜双做或晶粒软膜结合(Chip on Film,简称COF)。 5.如申请专利范围第1项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板为具有适当之弹力而可 弹性抵持插入转接卡内之记忆卡。 6.一种记忆卡之转接卡结构改良,尤指一种可供相 异尺寸的记忆卡对接于尺寸相异的记忆卡插槽之 转接卡,该转接卡为具有座体,于座体内为具有容 置空间,并于座体的一侧为开设有与容置空间相通 连之开口,其改良在于: 该座体为设有可罩覆容置空间之软性电路板,软性 电路板于相邻容置空间之一面上的适当位置处为 延设有复数凸点,而于复数凸点上设有导电层,并 于软性电路板之另一面接近侧边处为设有金手指 。 7.如申请专利范围第6项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板可透过电镀产生导电层 与金手指。 8.如申请专利范围第6项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该导电层与金手指间呈电性连接。 9.如申请专利范围第6项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板可为双层板、多层板、 单铜双做或晶粒软膜结合(Chip on Film,简称COF)。 10.如申请专利范围第6项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板为具有适当之弹力而可 弹性抵待插入转接卡内之记忆卡。 11.如申请专利范围第6项所述之记忆卡之转接卡结 构改良,其中该软性电路板与各凸点相邻之适当位 置处为设有破孔。 图式简单说明: 第一图 系为本创作较佳实施例之立体外观图。 第二图 系为本创作较佳实施例之立体分解图。 第三图 系为本创作较佳实施例之侧视剖面图图。 第四图 系为本创作较佳实施例于动作前之侧视剖 面图。 第五图 系为本创作较佳实施例于动作中之侧视剖 面图。 第六图 系为本创作较佳实施例于动作后之侧视剖 面图。 第七图 系为本创作再一较佳实施例之侧视剖面图 。 第七A图 系为本创作再一较佳实施例之局部放大 侧视剖面图。 第八图 系为本创作再一较佳实施例于插入记忆卡 之侧视剖面图。 第九图 系为习用之转接卡立体分解图。 |
