首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung hoher Dotierungsgrade in Halbleiterkristallen
摘要
申请公布号 CH443233(A) 申请公布日期 1967.09.15
申请号 CH19630011261 申请日期 1963.09.12
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 ZIEGLER,GUENTHER,DR.;WINSTEL,GUENTER,DR.
分类号 C30B31/00;G01S7/28;H01L21/00;H01L29/00;(IPC1-7):B01J17/34;H01L7/02 主分类号 C30B31/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com