| 发明名称 |
Verfahren zur Reinigung einer porösen Fläche eines Halbleitersubstrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69734078(T2) |
申请公布日期 |
2006.07.06 |
| 申请号 |
DE19976034078T |
申请日期 |
1997.05.28 |
| 申请人 |
CANON K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
FUJIYAMA, YASUTOMO;KUMOMI, HIDEYA |
| 分类号 |
H01L21/306;B08B3/12;H01L21/20;H01L21/3063 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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