发明名称 |
Schaltungsanordnung auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Schaltungsanordnung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (1) auf einem Substrat (4) mit einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiterbauelement (2) mit einem Steuerkontakt (21), mindestens einem auf dem Substrat angeordneten weiteren Halbleiterbauelement (3) mit einem weiteren Steuerkontakt (31) und mindestens einem zwischen den Steuerkontakten angeordneten elektrischen Steuerkontaktwiderstand (5) zur elektrischen Entkopplung der Steuerkontakte. Die Halbleiterbauelemente sind parallel verschaltet. Zur Bildung des elektrischen Steuerkontaktwiderstands ist mindestens eine auf dem Substrat angeordnete Abscheidung (51) mindestens eines elektrisch leitenden Materials vorhanden. Daneben betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen der Schaltungsanordnung mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen des Halbleiterbauelements und des weiteren Halbleiterbauelements auf dem Substrat, wobei der Steuerkontakt des Halbleiterbauelements und der weitere Steuerkontakt des weiteren Halbleiterbauelements vom Substrat abgekehrt sind, und b) Erzeugen der Abscheidung auf dem Substrat, wobei der Steuerkontaktwiderstand gebildet wird. Vorzugsweise sind die Halbleiterbauelemente Leistungshalbleiterbauelemente wie MOSFET, IGBT oder Bipolartransistor. |
申请公布号 |
DE102004061908(A1) |
申请公布日期 |
2006.07.06 |
申请号 |
DE20041061908 |
申请日期 |
2004.12.22 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
BAKRAN, MARK-MATTHIAS;FUCHS, ANDREAS;HOFSTETTER, MATTHIAS;KNAAK, HANS-JOACHIM;NAGEL, ANDREAS;SELIGER, NORBERT |
分类号 |
H01L23/492;H01L25/07 |
主分类号 |
H01L23/492 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|