制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件

摘要

本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。

主权项

1.一种用于制造谐振腔发光器件的方法，该方法包括：布置种子氮化镓晶体和源材料在含氮过热流体中；通过在所述种子氮化镓晶体和所述源材料之间施加热梯度来在所述种子氮化镓晶体上生长单晶氮化镓衬底；以及设置III族氮化物层的堆叠在所述单晶氮化镓衬底上，该堆叠包括第一镜子堆叠和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件的有源区。