发明名称 |
具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种具有半导体本体(22)的半导体器件及其制造方法,包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16)。本发明特别涉及在有源区中具有沟槽电极的这种器件的终止结构。所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d)。如此设置横向器件,使得跨越所述横向器件分布有源区和所述外围边缘之间的电压差。终止结构比较紧凑,且该结构的特征容易以与有源区的特征相同的工艺步骤形成。 |
申请公布号 |
CN1799145A |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN200480014851.6 |
申请日期 |
2004.05.21 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
R·J·格罗维 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L29/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种具有半导体本体(22)的半导体器件,包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16),所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d),每个横向器件包括其中具有栅电极(31)的沟槽(30),所述栅电极通过栅极绝缘材料层(32)与半导体本体分离,所述横向器件的沟槽、栅电极和栅极绝缘材料层以与有源区中器件的沟槽(20)、其中的绝缘电极(11)和将绝缘电极绝缘的材料层(25)相同的各个工艺步骤而形成,所述横向器件的栅电极(31)延伸穿过第一导电类型区(15),并且部分穿过下面的第二相反导电类型区(14a),每个横向器件包括在它的栅电极(31)与更靠近有源区的横向器件一侧处的第一导电类型区(15)之间的导电连接(8,23),以致跨越所述横向器件分布有源区和外围边缘之间的电压差。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |