半导体元件的结构及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法是在一基底中形成沟渠，再在沟渠的侧壁形成绝缘间隙壁。接着，在沟渠中形成第一外延层，再在第一外延层中形成源极和漏极掺杂区。然后，在基底与第一外延层上形成第二外延层，再在第二外延层上形成栅极。其后，以栅极为掩模进行离子注入步骤，以在第二外延层中形成延伸掺杂区，再进行快速热退火步骤，以使源极和漏极掺杂区以及延伸掺杂区形成源极和漏极。

主权项

1.一种半导体元件的结构，至少包括：一基底；一源极和漏极，设置于该基底之中；一栅极结构，设置于该源极和漏极之间的该基底上，并且延伸覆盖部分的该源极和漏极；一沟道区，设置于该栅极结构下方的该基底中，其特征在于：该结构还包括：一绝缘间隙壁，设置于该沟道区下方的该基底与该源极和漏极之间。