像素结构的制造方法

摘要

一种像素结构的制造方法，包括下列步骤：首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层，且覆盖栅极。接着，于栅绝缘层上形成半导体层，且于半导体层上形成金属层。然后，于金属层上形成第一掩膜层，并以第一掩膜层为蚀刻掩膜，图案化金属层以形成源极/漏极。之后，于第一掩膜层上形成第二掩膜层，且第二掩膜层还覆盖住源极/漏极之间的区域。接着，以第一与第二掩膜层为蚀刻掩膜，图案化半导体层，且去除第一与第二掩膜层。之后，于基板上形成保护层，且于保护层上形成像素电极，其中像素电极与漏极电连接。

主权项

1.一种像素结构的制造方法，其特征是包括：于基板上形成栅极；于该基板上形成栅绝缘层，且覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成半导体层；于该半导体层上形成金属层；于该金属层上形成第一掩膜层；以该第一掩膜层为蚀刻掩膜，图案化该金属层以形成源极/漏极，并移除该半导体层之部分厚度；于该第一掩膜层上形成第二掩膜层，且该第二掩膜层还包括覆盖住该源极/漏极之间的区域；以该第一与该第二掩膜层为蚀刻掩膜，图案化该半导体层；去除该第一与该第二掩膜层；于该基板上形成保护层；以及于该保护层上形成像素电极，其中该像素电极与该漏极电连接。