发明名称 | 基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路 | ||
摘要 | 本发明涉及差分放大器技术领域,特别是一种基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路。双模式的集成ISFET信号放大器包括:Ma1和Mb1组成的差分放大器,Ma2、Mb2和Mc组成自举电路,M9,M8,M7,M2,M1电流镜像电路,电流源I1a和I1b,I0。ISFET电流型信号差分电路包括:ISFET放大器和REFET放大器,准参比电极PRE,M1和M3构成二个跟随放大器。本发明适合处理高精度、具有较大动态范围的ISFET传感器输入信号。 | ||
申请公布号 | CN1797944A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
申请号 | CN200410098990.3 | 申请日期 | 2004.12.23 |
申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 杨海钢;魏金宝 |
分类号 | H03F3/45(2006.01) | 主分类号 | H03F3/45(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 1.一种双模式的集成ISFET信号放大器,由Ma1和Mb1组成的差分放大器,Ma2、Mb2和Mc组成自举电路,M9,M8,M7,M2,M1电流镜像电路,电流源I1a和I1b,I0组成,其特征在于,M7,M2,电流镜像电路连接于Ma2、Mb2和Mc组成的自举电路,Ma2、Mb2和Mc组成自举电路连接于Ma1和Mb1组成的差分放大器,Ma1和Mb1源极接有电流源I0,同时连接M9,M8,M1电流镜像电路。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区北四环西路19号 |