| 发明名称 | 熔丝及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种有源熔丝，其包括用于形成可变电阻器(106)和选择晶体管(110)的有源熔丝几何结构(120)。在一个实施例中，该有源熔丝几何结构形成在半导体衬底(140)的部分有源区(160)内，而选择栅(124)被置于该有源熔丝几何结构端部(123)的上方，以形成用于对有源熔丝编程的集成选择晶体管(110)。在该有源区内使用共用的有源熔丝几何结构可以减少所需面积并增加检测余量。 | ||
| 申请公布号 | CN1799130A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200480011464.7 | 申请日期 | 2004.04.23 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 至南·布赖恩·李;亚历山大·B·霍夫勒;德－高·林 |
| 分类号 | H01L21/326(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/86(2006.01) | 主分类号 | H01L21/326(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作熔丝的方法，其包括：在部分有源区中形成熔丝几何结构；以及形成布置在熔丝几何结构端部上方的选择栅，其中所述选择栅和所述熔丝几何结构端部的在下面的部分形成了用于对熔丝编程的集成选择晶体管。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||