通过交替层间电介质实现的无刻蚀阻止层的双镶嵌互连

摘要

本发明公开了一种双镶嵌工艺，其中，第一交替ILD由第一材料制成，第二交替ILD由第二材料制成。每种材料都在存在例如用于有机高分子和无机低K材料的不同的刻蚀剂时，能够以比另一种材料更快的速率刻蚀。这允许在没有刻蚀剂阻止层的情形下在彼此上交替地沉积ILD，从而减小了电容。

主权项

1.一种集成电路，包括：仅由第一电介质材料构成的第一层间电介质，所述第一电介质材料在暴露于第一刻蚀剂时具有第一刻蚀速率，其中所述第一层间电介质包括第一导体和位于下面的第一通路，所述第一导体和所述第一通路都完全嵌入在所述第一电介质材料中；仅由第二电介质材料构成的第二层间电介质，所述第二层间电介质直接置于所述第一层间电介质上，所述第二电介质材料在暴露于所述第一刻蚀剂时具有比所述第一刻蚀速率慢的刻蚀速率，其中所述第二层间电介质包括第二导体和位于下面的第二通路，所述第二导体和所述第二通路都完全嵌入在所述第二电介质中，使得所述第一层间电介质与所述第二层间电介质之间的界面是具有不同刻蚀速率的电介质材料的界面；直接置于所述第二层间电介质上的第三层间电介质，所述第三层间电介质仅由所述第一电介质材料构成，其中所述第三层间电介质包括第三导体和位于下面的第三通路，所述第三导体和所述第三通路完全嵌入在所述第一电介质材料中。