发明名称 | 具有表面构造的发光二极管 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发光二极管。为改善光耦合输出在发光二极管的至少一段光射出侧表面上覆置了许多平截头棱锥体(10A-D),在其侧而(2A,2B,2C)上可以有效地使得由一个发光层发射出的并通过这平截头棱锥体(10A-D)的底面(1)而射入这棱锥体的光束实现耦合输出。 | ||
申请公布号 | CN1263167C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
申请号 | CN00815582.8 | 申请日期 | 2000.09.04 |
申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 发明人 | R·韦斯 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军;赵辛 |
主权项 | 1.发光二极管,它具有-一种半导体层状构造,包含有一层基底物和至少一层在基底物上成型的发光层;-在基底物上的第一层电接触层,和-第二层电接触层(50),在至少一部分位于基底物对面的半导体层状构造的表面上;其特征在于,-半导体层状构造的位于基底物对面的表面至少在一部分上面形成构造,从而使其在第二层电接触层(50)的范围之外具有许多平截头棱锥体或者平截头圆锥体(10)。 | ||
地址 | 德国雷根斯堡 |