| 发明名称 | 一种可用于平面显示的场致发射纳米材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶须)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶须上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。 | ||
| 申请公布号 | CN1263063C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN03116285.1 | 申请日期 | 2003.04.10 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 陈国荣;莫晓亮 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01);H01J9/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01J1/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞 |
| 主权项 | 1、一种用于平面显示的场致发射纳米材料，其特征在于该场致发射纳米材料是由Ag和有机材料TCNQ在1∶1化学计量配比条件下生成的Ag(TCNQ)配合物纳米线。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||