| 发明名称 | 一种硅纳米线及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅纳米线及其制备方法。本发明的硅纳米线由单晶态硅核以及包裹在外面的非晶氧化物壳层所组成。其制备方法是(1)将纯度为99.99％的Si粉和纯度为99.99％的SiO<SUB>2</SUB>粉按照1∶1的重量比例进行配制搅匀，放在超高真空电子束系统的源坩埚中抽真空，备用；(2)选用SiO<SUB>2</SUB>/Si作为硅纳米线的生长衬底，并用丙酮和甲醇溶液分别超声清洗5分钟，再用高纯氮气吹干后，放入电子束系统的预真空室中，抽真空；(3)然后把衬底传到本底压强为2×10<SUP>-10</SUP>mbar的电子束系统主真空室中，加热到650～750℃，温度稳定后，再用电子束蒸发源坩埚中的Si+SiO<SUB>2</SUB>源，使硅以0.02nm/s的速率蒸发出来，并在SiO<SUB>2</SUB>/Si(111)或SiO<SUB>2</SUB>衬底上沉积生长；(4)主真空室冷却至室温，取出衬底，其表面蓝灰色或黄色薄膜，即为一维硅纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN1262692C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN03155931.X | 申请日期 | 2003.08.27 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 许向东;王银川;刘忠范 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B29/62(2006.01);C01B33/021(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、一种硅纳米线，由直径为9～13nm的单晶态硅核以及包裹在外面的厚度为5～9nm的一氧化硅和二氧化硅非晶氧化物壳层组成；所述单晶态硅核由面间距分别为0.19nm和0.31nm的(110)和(111)晶面组成，其生长取向主要为[221]。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||