发明名称 |
快速高温处理的装置 |
摘要 |
本实用新型是一种半导体基板的快速高温处理的装置,该装置包括一热源与一反射器,该热源提供快速高温处理的辐射热能,该反射器将该辐射热能予以反射,并将反射的辐射热能导至半导体基板的背面。本实用新型的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的背面,而半导体基板的正面未被辐射热能所照射,于是,半导体基板正面的图案不会影响到热流的均匀性,再者,由于热源并未安置于半导体基板的正面,便可在半导体基板的正面设置一高温计,由此可以准确地量测半导体基板正面的实际温度,以对热源的个别加热灯管所发射的辐射热能进行实时控制,而达成热能均匀分布。 |
申请公布号 |
CN2793916Y |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN200520001537.6 |
申请日期 |
2005.01.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
麦凯玲;杨铭和;李资良;陈世昌;聂俊峰 |
分类号 |
H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种半导体基板的快速高温处理的装置,其特征在于所述半导体基板的快速高温处理的装置包括:一可发出辐射热能的热源,位于半导体基板的背面的一侧,并距该半导体基板的背面具有一定距离;一反射器,位于半导体基板的背面的一侧,并距该半导体基板的背面具有一定距离,该反射器将该热源发出的辐射热能导至该半导体基板的背面。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |