发明名称 METHOD FOR FORMING CAVITIES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY IMPLANTING ATOMS
摘要
申请公布号 KR100597643(B1) 申请公布日期 2006.07.05
申请号 KR20007008441 申请日期 2000.08.02
申请人 发明人
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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