| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种在各晶面方位上形成的MOSFET都具有良好特性的半导体装置。其半导体装置包含这样的场效应型晶体管，即，在半导体衬底上具有隔着栅绝缘膜形成的栅极，与该栅极对置的半导体层成为沟道形成区，夹着该沟道形成区形成源·漏区，其特征在于该半导体装置包括：形成与栅绝缘膜相接的沟道形成区的表面部分在(100)硅晶面方位上的第一场效应型晶体管；和形成与栅绝缘膜相接的沟道形成区的表面部分在与(100)硅晶面方位不同的晶面方位上形成的第二场效应型晶体管；且上述第二场效应型晶体管的栅绝缘膜的氧化膜折算容量厚度比上述第一场效应型晶体管的栅绝缘膜的氧化膜折算容量厚度薄。 | ||
| 申请公布号 | CN1263133C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN01133923.3 | 申请日期 | 2001.08.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 百濑寿代 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包含这样的场效应型晶体管，即，在半导体衬底上具有隔着栅绝缘膜形成的栅极，与该栅极对置的半导体层成为沟道形成区，夹着该沟道形成区形成源·漏区，其特征在于该半导体装置包括：与栅绝缘膜相接的沟道形成区的表面部分在(100)硅晶面方位上形成的第一场效应型晶体管；和与栅绝缘膜相接的沟道形成区的表面部分在与(100)硅晶面方位不同的晶面方位上形成的第二场效应型晶体管；且上述第二场效应型晶体管的栅绝缘膜的氧化膜折算容量厚度比上述第一场效应型晶体管的栅绝缘膜的氧化膜折算容量厚度薄。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||