| 发明名称 | 一种采用纯数字工艺制作的电容 | ||
| 摘要 | 本发明一种采用纯数字工艺制作的电容，涉及集成电路技术领域，属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种纯数字工艺下制作的具有较大单位面积电容的电容。该电容，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质。将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联。同时，将利用各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。考虑到设计工艺制作中设计规则的限制，电容在实现时不使用顶层金属。这样可以在纯数字工艺下得到较大的单位面积电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1797710A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200410098991.8 | 申请日期 | 2004.12.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 郭慧民;陈杰 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01G4/33(2006.01);H01G13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种采用纯数字工艺制作的电容，由多晶硅条、金属条、层间介质和接触组成，其特征在于，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质，将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联，同时，将各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||