发明名称 |
磁阻效应元件和磁阻效应型磁头 |
摘要 |
在由对置的软磁性构件构成的第一和第二磁屏蔽之间配置磁阻效应元件本体、在本体上配置形成施加偏移磁场的硬磁性层。该磁阻效应元件本体由响应外部磁场磁化回转的自由层、固定层、固定该固定层的磁化和抗强磁性层和介于自由层与固定层之间的隔离层层叠的层叠构造部构成。在本体上制成使读出电流在与该层叠膜的膜面交叉的方向通电的CPP型构成,并且沿着层叠膜的膜方向引入检测磁场,使该偏移磁场几乎与上述的检测磁场引入方向交叉并沿膜面的方向施加。在自由层中,在检测磁场不施加的状态下,通过设定在该检测磁场的引入侧的前方端和其后方端上实际加入的磁场,在自由层中的稳定具有单磁畴化。 |
申请公布号 |
CN1263175C |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN01806611.9 |
申请日期 |
2001.12.04 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
古川昭夫;石井聪 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01F10/32(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
杨梧;马高平 |
主权项 |
1.一种磁阻效应元件,其特征在于:在由对置的软磁性构件构成的第一和第二磁屏蔽之间,配置层叠响应外部磁场磁化回转的自由层、固定层、固定该固定层的磁化的抗强磁性层和介于上述自由层与上述固定层之间的隔离层的磁阻效应元件本体,和在该磁阻效应元件上施加偏移磁场的硬磁层;在上述磁阻效应元件本体中,在与层叠膜的膜面垂直的方向通上读出电流,以便沿上述层叠膜的膜面方向导入检测磁场;使上述偏移磁场与上述检测磁场的引入方向垂直并沿上述膜的方向施加:其中,施加在将上述检测磁场引入其中的自由层的前端中心的偏移磁场的方向与由感应电流引起的磁各向异性磁场平行且相反,施加在前端中心的偏移磁场比由感应电流引起的磁各向异性磁场大,从而在上述自由层中,在不施加上述检测磁场的状态下,设定实际加入的磁场,以使在上述检测磁场的引入侧的前方端和其后方端上的磁场方向相同。 |
地址 |
日本东京都 |