发明名称 |
量子点形成方法 |
摘要 |
本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤:首先,在一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针在上述金属薄膜上形成一纳米孔洞结构;然后,在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上沉积一第二膜层;最终,去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层,进而在上述基底上获得一量子点。本发明所提供的量子点形成方法,是通过原子力显微探针首先形成预定尺寸的纳米孔洞结构,且由于金属具有有限的热膨胀系数,因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外,本量子点形成方法可避免大量表面能态的产生。 |
申请公布号 |
CN1797702A |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN200410091873.4 |
申请日期 |
2004.12.23 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
林孟东 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1.一种量子点形成方法,包括下列步骤:在一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针在上述薄膜上形成一纳米孔洞结构;在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上形成一第二膜层;去除上述金属薄膜及位于金属薄膜之上的第二膜层,进而在上述基底上获得一量子点。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |