发明名称 紫外线程序化的P型掩模式只读存储器及其制造方法
摘要 一种紫外线程序化的P型掩模式只读存储器及其制造方法,是先提高所有存储单元的起始电压,使所有存储单元均处于难以导通的第一逻辑状态(0或1),以避免位线之间发生漏电流。然后,待位线与字符线形成后,使用紫外线照射欲储存第二逻辑值(1或0)的存储单元,使电子注入其中的氮化层,以进行程序化。
申请公布号 CN1263145C 申请公布日期 2006.07.05
申请号 CN02106042.8 申请日期 2002.04.09
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟
分类号 H01L27/112(2006.01);H01L21/8246(2006.01) 主分类号 H01L27/112(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1、一种紫外线程序化的P型掩模式只读存储器,其特征是,该只读存储器包括:一浓掺杂阱位于一衬底中;多条位线位于该浓掺杂阱中;一绝缘层位于该些位线上;多条字符线横跨于该些位线上,该些字符线下方的该些位线之间的该衬底作为多个存储单元;一电荷陷入层位于该些字符线与该浓掺杂阱之间;以及一紫外线阻挡层位于该衬底上,该紫外线阻挡层具有多个开口位于部分的该些存储单元上,且该部分的该些存储单元是以紫外线写入。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号