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发明名称 METHOD FOR FORMING DUAL GATE OXIDE LAYER
摘要
申请公布号 KR20060077787(A) 申请公布日期 2006.07.05
申请号 KR20040117320 申请日期 2004.12.30
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHOI, BAIK IL;KIM, WOO JIN;OH, HOON JUNG;YOON, HYO GUN;YOON, HYO SEOB;OH, PYEONG WON
分类号 H01L21/316;H01L21/336 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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