发明名称 |
动态随机存取存储器的存取控制方法 |
摘要 |
一种动态随机存取存储器的存取控制方法,应用在设有至少一第一规格DRAM模块插槽或至少一第二规格DRAM模块插槽中的一种内存模块插槽、BIOS程序的基板,供该基板对第一DRAM模块或的第二DRAM模块进行存取控制,令该BIOS程序预存第一DRAM模块及第二DRAM模块相关数据;且接着令该基板根据该BIOS程序执行初始化程序,使该内存控制器DRAM模块进行存取,最后令该内存控制器判断DRAM模块相关资料,供内存控制器根据读取到的DRAM模块相关资料对安装在该DRAM模块插槽中的模块进行存取控制。 |
申请公布号 |
CN1797376A |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN200410104125.5 |
申请日期 |
2004.12.30 |
申请人 |
英业达股份有限公司 |
发明人 |
卢盈志;余亮宏 |
分类号 |
G06F13/10(2006.01);G06F3/06(2006.01) |
主分类号 |
G06F13/10(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程伟 |
主权项 |
1.一种动态随机存取存储器的存取控制方法,应用在设有至少一第一规格DRAM模块插槽及至少一第二规格DRAM模块插槽中一种规格的插槽、内存控制器及基本输入输出系统程序的基板,供该基板对安装在该第一规格DRAM模块插槽的第一DRAM模块及安装在第二规格DRAM模块插槽的第二DRAM模块中的一种DRAM模块进行存取控制,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:令该BIOS程序预存第一DRAM模块及第二DRAM模块相关数据;令该基板根据该BIOS程序执行内存初始化程序;令该内存控制器在内存初始化程序中,对该基板上所设的DRAM模块插槽进行存取,并通过DRAM模块I2C地址读取DRAM模块储存的内存型号字段的资料值,得以判断安装在该DRAM模块插槽是第一DRAM模块及第二DRAM模块中的一种DRAM模块;以及令该内存控制器以该DRAM模块自该BIOS程序读取与该DRAM模块对应的DRAM模块相关资料,供内存控制器根据读取到的DRAM模块相关资料,对安装在该DRAM模块插槽中的DRAM模块进行存取控制。 |
地址 |
台湾省台北市 |