| 发明名称 | 非易失性存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储单元，其由一临界交换薄膜与一存储交换薄膜所构成。其中，存储交换薄膜为一存储单元，而临界交换薄膜为一导向单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1797768A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200410101680.2 | 申请日期 | 2004.12.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘;陈逸舟 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，包括：一临界交换薄膜；以及一存储交换薄膜，其中，该存储交换薄膜为一存储单元，而该临界交换薄膜为一导向(Steer)单元，且作为该导向单元的薄膜，当施加大于其启始电压的一电压时，会发生电压崩溃，而当关闭该电压时，则会回复的原本的状态。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||