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发明名称 MANUFACTURING METHOD FOR SOURCE AND DRAIN IN MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20060077762(A) 申请公布日期 2006.07.05
申请号 KR20040117295 申请日期 2004.12.30
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 ROUH, KYOUNG BONG;JIN, SEUNG WOO;LEE, MIN YONG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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