发明名称 | 具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体薄膜材料,特别涉及宽禁带半导体材料。它包括衬底、过渡层和ZnO外延层,其过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层,该层厚度为0.005-3微米。制备方法包括清洗Si基片、制备SiC过渡层及ZnO薄膜,制备SiC过渡层是在去除表面氧的Si基片上,利用硅烷和丙烷作为反应源,在氢气氛、压力大于2000帕真空、1200-1400℃温度环境中生长形成SiC膜层。本发明减少了晶格失配和热胀系数失配造成的晶格缺陷,提高了在Si基上制备的ZnO薄膜的结晶质量;同时利用SiC击穿场强高的优点,有望开拓ZnO基的新型光电材料。两次外延技术较为成熟,成本相对比较低廉,易实现产业化。ZnO/SiC/Si薄膜比在Si基片上直接外延ZnO薄膜的结晶程度有了很大的提高,紫外发光强度也大大增强。 | ||
申请公布号 | CN1797709A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
申请号 | CN200410065875.6 | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 傅竹西;朱俊杰;姚然;林碧霞 |
分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
代理机构 | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人 | 余成俊 |
主权项 | 1.一种具有硅衬底的氧化锌薄膜,包括衬底、过渡层和ZnO外延层,其特征在于,所述的过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层,该层厚度为0.005-3微米。 | ||
地址 | 230026安徽省合肥市金寨路96号 |