半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：形成第1导电层；在上述第1导电层上形成第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层；在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分；在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层；在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分；用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成导电层；在上述导电层上形成第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层；在上述第2绝缘层上形成包括第1开口部分的第1掩模层；利用上述第1掩模层，通过刻蚀上述第1绝缘层和上述第2绝缘层，在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第2开口部分；去除上述第1掩模层；在去除上述第1掩模层后，在上述第2绝缘层上形成第2掩模层，该第2掩模层具有面积大于上述第1开口部分的第3开口部分，并且其表面对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层；在上述第2绝缘层中形成第4开口部分，该第4开口部分的面积大于第2开口部分，并且通过刻蚀上述第2绝缘层使该第4开口部分与上述第2开口部分相交叠；和将含有导电材料的组成物放入上述第2和第4开口部分中。