| 发明名称 | 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其包括：具有至少一个源接触的源区；具有至少一个漏接触的漏区；以及连接于该源区与该漏区之间的栅，其中包括在该源区中的源接触的数目不同于包括在该源区中的漏接触的数目。 | ||
| 申请公布号 | CN1797784A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200510087320.6 | 申请日期 | 2005.07.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔俊基;韩熙贤 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包含：源区，其具有至少一个源接触；漏区，其具有至少一个漏接触；及栅，其连接于该源区与该漏区之间，其中包括在该源区中的源接触的数目不同于包括在该源区中的漏接触的数目。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||