制作有源矩阵基片的方法

摘要

一种制作有源矩阵基片(1)的方法，此基片含有有源元件的行和列的列阵(10)，其中每个元件(11)与一个薄膜晶体管(13)相关联，而薄膜晶体管的栅极(306)被连接到相应的行导线(15)，同时源(320)和漏(321)电极则被连接到相应的列导线(14)上，以及静电放电保护电路(20)，它被连接到至少其中的一个行导线上的，以保护薄膜晶体管免受静电放电(ESD)的破坏。本方法包含如下步骤，制作薄膜晶体管(302)和静电放电保护电路(303)的半导体区；淀积薄膜晶体管的栅极(306)和对应的行导线(15)；以及淀积薄膜晶体管的源(320)和漏(321)电极和对应的列导线(14)，其中在淀积列导线(14)之前，静电放电保护电路(20)对于控制静电放电是起作用的。

主权项

1.一种制作有源矩阵基片的方法，此基片含有有源元件的行和列的阵列，其中每个元件与一个薄膜晶体管相关联，而薄膜晶体管的栅极被连接到一个相应的行导线，源和漏电极中的一个则被连接到一个相应的列导线上；以及静电放电保护电路，该静电放电保护电路被连接到行导线中的至少一个上，以保护薄膜晶体管免受静电放电的破坏，本方法包含如下步骤：制作薄膜晶体管和静电放电保护电路的半导体区；淀积薄膜晶体管的栅极和对应的行导线；以及对静电放电保护电路的半导体区进行掺杂，以便在淀积列导线之前，提供从该半导体区连接到行导线的那个部分通过该半导体区到基片的外部环境的一个和缓的导电通道，并阻止流过该半导体区的相反方向的电流；淀积薄膜晶体管的源和漏电极和列导线。