| 发明名称 | 用于生产CMOS器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H<SUP>+</SUP>离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。 | ||
| 申请公布号 | CN1263119C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN03102933.7 | 申请日期 | 2003.01.24 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 许胜藤;李宗霑;马哲申;道格拉斯·詹姆斯·特威特 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上形成多个器件区；在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有在20％至40％之间的锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；在700℃至900℃之间的温度将通过形成沟槽的步骤获得的结构退火5分至60分之间，以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部；及完成CMOS器件。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||