半导体内存埋入式位线之制造方法

摘要

于此方法中，埋入式位线使用包含之前已被施加于将形成埋入式位线之区域上方之多晶硅(15)之一掺杂质源极被产生做为一扩散区域(14)。这维持扩散程度于限制中并表示掺杂的多晶硅，在快速氧化的考虑下，尤其适合埋入式位线上之隔离氧化物区域(6)的形成。

主权项

1.一种制造半导体内存埋入式位线的方法，其中在一半导体基体中产生彼此平行且互有距离的条状掺杂区域，所述条状掺杂区域是作为各内存晶体管的位线以及源极/漏极区域；在所述条状掺杂区域侧向施加一层序列，所述层序列是作为栅极介电质且包含一下边界层、一储存层与一上边界层；以及在远离所述半导体基体的所述条状掺杂区域的一侧形成一氧化物区域，其中所述氧化物区域的厚度大于所述下边界层；其特征在于：在产生所述上边界层前，在所述储存层上先形成一牺牲层，其中所述牺牲层是由可相对于所述储存层与多晶硅而被选择性地蚀刻的材料制成；使用一罩幕而在所述牺牲层、所述储存层与所述下边界层中产生开孔，所述开孔一直向下延伸到所述半导体基体；将掺杂多晶硅导入所述开孔中；移除该牺牲层；以及在所述储存层上产生所述上边界层，且将所述多晶硅的至少一部份氧化以形成所述氧化物区域与经由扩散而形成所述掺杂区域。