| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路及其制造方法。所述集成电路包括一导电层于一介电层中的一沟槽中，以及一渐层顶盖层于该导电层上，其中该渐层顶盖层包括一渐层的金属合金，于邻近该导电层的浓度大于或等于95at％钴、镍、或上述的组合以及于该导电层相对端的浓度小于或等于95at％钴、镍、或上述的组合。本发明提供一种顶盖层、胶着层、保护/阻障层、或渐层顶盖层于集成电路中的导电层上，其与导电层间具良好粘着性质且能阻障导电层扩散进入层间介电层，以改善集成电路的电性如电阻率及导电性。 | ||
| 申请公布号 | CN1797763A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200510109049.1 | 申请日期 | 2005.10.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 苏鸿文;石健学;蔡明兴;眭晓林;余振华 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，所述集成电路包括：一导电层于一第一介电层中的一沟槽中；以及一渐层顶盖层于该导电层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||