SCHOTTKY-BARRIER MOSFET MANUFACTURING METHOD USING ISOTROPIC ETCH PROCESS,申请号EP20040794042-传众专利搜索

发明名称	SCHOTTKY-BARRIER MOSFET MANUFACTURING METHOD USING ISOTROPIC ETCH PROCESS
摘要
申请公布号	EP1676305(A1)	申请公布日期	2006.07.05
申请号	EP20040794042	申请日期	2004.10.04
申请人	SPINNAKER SEMICONDUCTOR, INC.	发明人	SNYDER, JOHN, P.;LARSON, JOHN, M.
分类号	H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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