| 发明名称 | 动态记忆胞元 | ||
| 摘要 | 本发明系关于一种动态记忆胞元，其可藉由选择讯号选择且其内容可由含有第一及第二位线的位对读出，其具有一储存电容和第一及第二选择晶体管；在此实例中，依该选择讯号而定，该储存电容的第一终端可经由第一选择晶体管连接至第一位线且该储存电容的第二终端可经由第二选择晶体管连接至第二位线。 | ||
| 申请公布号 | CN1263142C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200310119658.6 | 申请日期 | 2003.11.27 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | P·比尔 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);G11C11/401(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种动态记忆胞元，具有一储存电容和第一及第二选择晶体管，其中所述动态记忆胞元可由选择讯号选择且其内容可由一具有第一及第二位线的位对读出；其中依选择讯号而定，该储存电容的第一终端可经由该第一选择晶体管连接至该第一位线，及该储存电容的第二终端可经由该第二选择晶体管连接至该第二位线。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||