发明名称 |
减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法 |
摘要 |
一种减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法,适于将晶圆置于一蚀刻腔体的一承载器上,先设定承载器为一高度以及在此高度下进行一蚀刻制作工艺。然后,在此高度下测量在不同位置的蚀刻深度的误差。接着,在不同高度下重复上述两步骤,以便产生数组不同高度的对应资料,再选择结果为最小误差的该高度作为用以施行一标准蚀刻制作工艺的高度,借此以增加整个衬底上的材料层的蚀刻率均匀性。 |
申请公布号 |
CN1263101C |
申请公布日期 |
2006.07.05 |
申请号 |
CN02126227.6 |
申请日期 |
2002.07.16 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
彭俊宁 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法,适于将一晶圆置于一蚀刻腔体的一承载器上,其特征在于:包括:设定该承载器的一高度以及在该高度下进行一蚀刻制作工艺;在该高度下测量在不同位置的蚀刻深度的误差;在不同高度下重复上述两步骤,以便产生数组不同高度的对应资料;选择结果为最小误差的该高度作为施行一标准蚀刻制作工艺的高度。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |