| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines bezueglich des Stromes temperaturstabilen Halbleiterbauelements mit mindestens einem Esaki-UEbergang |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1260635(B) |
申请公布日期 |
1968.02.08 |
| 申请号 |
DE1963S088497 |
申请日期 |
1963.11.29 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WINSTEL DR. GUENTER |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/88 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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