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发明名称 METHOD OF FORMING A GATE ELECTRODE PATTERN IN FLASH MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060075363(A) 申请公布日期 2006.07.04
申请号 KR20040114140 申请日期 2004.12.28
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LEE, WON HEE
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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