深沟渠单边埋藏导电带之制作方法

摘要

本发明系关于一种深沟渠单边埋入导电带(SSBS)之制作方法。首先，提供一形成有深沟渠之基底，且深沟渠内包含一沟渠电容及一多晶矽层覆盖于沟渠电容上。接着依序沈积第一和第二遮罩层于多晶矽层上，再进行斜角离子布植与蚀刻制程，以蚀除未植入掺杂离子之第二遮罩层，然后再进行离子布植与湿蚀刻制程，将裸露之第一遮罩层蚀除，形成一硬遮罩覆盖于之多晶矽层上，最后蚀刻未被硬遮罩遮蔽之部分多晶矽层，以形成由多晶矽层所构成之单边埋入导电带。