低电容静电放电保护装置及其制造方法

摘要

一种低电容静电放电保护装置。第一型井区系形成于基底中。第一型第一电晶体及第一型第二电晶体分别形成于第一型井区之两侧。第二型护环，位于基底且包围第一、第二电晶体及第一型井区。第二型掺杂区，形成于第一型井区中。第一电晶体及第二电晶体之汲极与源极区形态系非对称，第一及第二电晶体之汲极区面积系小于源极区，且第一及第二电晶体之汲极区相对于第一型井区之距离系小于源极区相对于第一型井区之距离。