| 摘要 |
本发明系关于一种具有内部阻绝层之金属氧化半导体装置及其制作方法。该金属氧化半导体装置包括：一基板、一本体、一内部阻绝层、一具导电之半导体层、一闸极氧化层及一闸极层。该本体形成于该基板上。该内部阻绝层形成于该基板上且设置于该本体之侧边。该具导电之半导体层形成于该本体及该内部阻绝层上，该半导体层具有一部、一源极部及一汲极部。该闸极氧化层形成于该半导体层上。该闸极层形成于该闸极氧化层上。本发明之金属氧化半导体装置利用该内部阻绝层介入该本体与该源极部及该汲极部之间，以取代原来之PN接面，可降低金属氧化半导体装置中PN接面的面积而大幅降低漏电流和PN接面电容。且可以同时压制超短通道效应，且没有浮体效应及自我加热效应。 |
