氮氧化矽层之制造方法

摘要

一种氮氧化矽层之制造方法，应用于多晶矽薄膜电晶体的制程，其方法为先以电浆辅助化学气相沈积方式形成氧化矽层再接续对氧化矽层施以电浆氮化处理，如此可在单一设备中完成多晶矽薄膜电晶体的制造，有效降低制造成本与节省多晶矽薄膜电晶体之整体制程时间。