非挥发性铁电记忆体装置

摘要

本发明系提供一非挥发性铁电记忆体装置，以便使用由铁电材料的极性状态所区别之记忆胞的通道电阻，来控制非挥发性记忆胞的读取／写入操作。在记忆体装置中，一绝缘层在一底部字线上形成，并且在该绝缘层上形成包括一N型汲极区、P型通道区以及N型源极区的浮动通道层。然后，一铁电层在该浮动通道层上形成，而且一字线在该铁电层上形成。结果，依照该铁电层的极性来控制感应到通道区的电阻状态，藉以调节该记忆胞阵列的读取／写入操作。