发明名称 控制在记忆元件中运算之模态暂存器组的方法及其电路
摘要 本发明揭露一种控制记忆元件中MRS操作的方法其可以避免由于记忆元件失效而跳出自更新模式时非必要的MRS操作。根据这个方法,当记忆元件跳出自更新模式时,藉由外部位址来中断启动MRS模式暂存器设定指令讯号的操作点。
申请公布号 TW200623116 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094125026 申请日期 2005.07.22
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 河成周;金泰润
分类号 G11C11/00 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人 郑再钦
主权项
地址 韩国